日本napson高規半自動四探針薄層電阻測量儀
測量規格
測量目標
- 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
- 擴散樣本
- 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 其他（請與我們聯系）
測量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
-選項（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210 x 210毫米
測量范圍
①RT-3000（S）；
[電阻（比電阻）]100μ至1MΩ·cm
[片材電阻] 1m至10MΩ/
sq②RT-3000（H）;
[片材電阻] 10m至1GΩ/ sq
測量規格
測量目標
- 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
- 擴散樣本
- 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 其他（請與我們聯系）
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-選項（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210 x 210毫米
測量范圍
①RT-3000（S）；
[電阻（比電阻）]100μ至1MΩ·cm
[片材電阻] 1m至10MΩ/
sq②RT-3000（H）;
[片材電阻] 10m至1GΩ/ sq
映射圖像
![半自動類型<br />（多點測量系統[包括軟件+ PC]）](https://www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2014/08/2D%E5%86%86%E5%9E%8B%E3%83%9E%E3%83%83%E3%83%94%E3%83%B3%E3%82%B01.jpg)
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日本napson高規半自動四探針薄層電阻測量儀
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