JT-DQ-DRT系列 IGBT 驅動變壓器系我公司為驅動 IGBT 和 MOSFET 而專門研制的產(chǎn)品，以新型材料作為磁芯，可滿足多項應用要求。

     一．產(chǎn)品特點：
    ① 耦合電容低，使之具有很高的抗力；
     ② 漏感小，保證了更好的輸出脈沖波形；
     ③ 無開關延時、瞬時傳輸功率高；
     ④ 抗電強度高，安全可靠；
     ⑤ 全封閉，機械和耐環(huán)境性能好；
     ⑥ 體積小巧，結構緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。

     二．使用條件：
     ① 環(huán)境溫度：-40℃~+85℃；
     ② 相對濕度：溫度為 40℃時不大于 90%；
     ③ 大氣壓力：860~1060mbar(約為 650~800mmHg)。
     三．絕緣耐熱等級：F 級(155℃)
     四．安全特性：
     ① 絕緣電阻：常態(tài)時大于 1000MΩ；
     ② 阻燃性：符合 UL94-V0級。