產品簡介
技術參數品牌：DIODES型號：ZXMS6004DGTA封裝：SMD批次：21+數量：10000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-223-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | ZXMS6004DGTA |
| 封裝： | SMD |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-223-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 350 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 5 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 700 mV |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 125 C |
| Pd-功率耗散： | 3 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | ZXMS6004 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 下降時間： | 15 us |
| 上升時間： | 10 us |
| 典型關閉延遲時間： | 45 us |
| 典型接通延遲時間： | 5 us |
| 單位重量： | 112 mg |
- 上一篇： LM8261M5X/NOPB 運算放大器及比較器 TI
- 下一篇： ZVP3306FTA 場效應管 DIODES MOSFET P-
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。