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深圳市福田區科偉諾電子商行

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ON 場效應管 NTGD3149CT1G MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:NTGD3149CT1G
  • 品牌:
  • 產品類別:存儲IC
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-04-08 20:46:02
  • 瀏覽次數:5
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深圳市福田區科偉諾電子商行

其他

  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:817條
  • 所在地區:
  • 注冊時間:2015-01-09
  • 最近登錄:2023-04-08
  • 聯系人:陳先生
  • 電    話:13423822511

產品簡介

技術參數品牌:ON型號:NTGD3149CT1G批號:09+封裝:TSOP-6數量:4688QQ:描述:MOSFETN/P-CH20V6-TSOP對無鉛要求的達標情況:無鉛濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)詳細描述:MOSFET-陣列-N-和-P-溝道-20V-3

詳情介紹


技術參數

品牌:ON
型號:NTGD3149CT1G
批號:09+
封裝:TSOP-6
數量:4688
QQ:
描述:MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況:無鉛
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
詳細描述:MOSFET-陣列-N-和-P-溝道-表面貼裝型-6-TSOP
數據列表:NTGD3149C;
標準包裝:3,000
包裝:標準卷帶
零件狀態:停產
類別:分立半導體產品
產品族:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列:-
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源電壓(Vdss):20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值):60 毫歐 @ ,
不同 Id 時的 Vgs(th)(值):1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值): @
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值):387pF @ 10V
功率 - 值:900mW
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商器件封裝:6-TSOP
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