TB67S109AFNAG

A4988中文資料a4988模塊中文資料a4988驅(qū)動(dòng)模塊a4988中文資料bd9488f驅(qū)動(dòng)芯片電路圖A4988驅(qū)動(dòng)A4988說明a4988驅(qū)動(dòng)中文資料DRV8824DRV8825步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

TOSHIBA BiCD集成電路硅單片

CLOCK-in控制雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

TB67S109AFNAG是使用PWM斬波器的兩相雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

中的時(shí)鐘內(nèi)置。采用BiCD工藝制造，額定值為50 V / A

特性：

·BiCD工藝集成單片IC。

·可控制1個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)。 ·PWM控制恒流驅(qū)動(dòng)。

·允許完整，半，四分之一，1/8，1/16，1/32步進(jìn)操作。

·低導(dǎo)通電阻（高+低邊=Ω（典型值））MOSFET輸出級(jí)。

·高效電機(jī)電流控制機(jī)制（高級(jí)動(dòng)態(tài)混合衰減）

·高電壓和電流（有關(guān)規(guī)格，請(qǐng)參考額定值和工作范圍）

·錯(cuò)誤檢測(cè)（TSD / ISD）信號(hào)輸出功能

·內(nèi)置錯(cuò)誤檢測(cè)電路（熱關(guān)斷（TSD），過流關(guān)斷（ISD）和上電復(fù)位（POR））

·內(nèi)置VCC調(diào)節(jié)器，用于內(nèi)部電路使用。

·電機(jī)的斬波頻率可以通過外部電阻和電容器定制。

·封裝：TB67S109AFNAG：HSSOP36

注）使用時(shí)請(qǐng)注意散熱條件

拓展應(yīng)用電路，在應(yīng)用中根據(jù)需要增加功能。

用來實(shí)現(xiàn)降低鎖相電路，從而降低驅(qū)動(dòng)芯片的鎖相功耗，具體應(yīng)用電路如下圖：

圖1

圖1，左、右兩方框電路用來設(shè)置參考電壓。當(dāng)VCC＝5V，DOWN≈VCC，兩方框生成的分壓值相等。　當(dāng)DOWN＝L（≈GND），參考電壓會(huì)降低一半。具體看下面仿真圖中的數(shù)據(jù)差異：

圖2 圖3

圖2、圖3中的S1可以用推挽輸出端口代替，比如74LVC245、MCU等等，只要高電平與VCC大約相等。　這樣就可以通過其它器件來實(shí)現(xiàn)半流鎖相。注：推挽端口輸出狀態(tài)只有高電平、低電平兩種。若是端口是開路輸出的，相應(yīng)要調(diào)整電阻參數(shù)。

圖4

使用74HC123實(shí)現(xiàn)的自動(dòng)半流鎖相電路

待機(jī)功能的單端口控制（ST的作用1是實(shí)現(xiàn)待機(jī)控制。作用2是讓芯片從保護(hù)狀態(tài)中恢復(fù)正常工作）

芯片的待機(jī)（ST）功能整合在細(xì)分表中，只能通過細(xì)分設(shè)置端來選擇ST功能。

上面是兩種簡(jiǎn)化實(shí)現(xiàn)單端口控制ST的電路