產品簡介
技術參數品牌：TOSHIBA/東芝型號：TK12P60W,RVQ(S批號：19+封裝：DPAK數量：30000QQ：描述：MOSFETN-CH600V12ADPAK對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS2)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）詳細描述：表面貼裝型-N-通道-600V-11
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | TOSHIBA/東芝 |
| 型號： | TK12P60W,RVQ(S |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | DPAK |
| 數量： | 30000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 12A DPAK |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS2)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-（Ta）-100W（Tc）-DPAK |
| 數據列表： | TK12P60W; |
| 標準包裝： | 2,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | DTMOSIV |
| 其它名稱： | TK12P60WRVQ(S |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 600V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）： | （Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 340 毫歐 @ ，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | @ 600µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 25nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 890pF @ 300V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 100W（Tc） |
| 工作溫度： | 150°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | DPAK |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
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