晶體振蕩器實(shí)際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如，高強(qiáng)度的振動(dòng)或沖擊會(huì)給振蕩器帶來(lái)問(wèn)題。除了可能產(chǎn)生物理?yè)p壞，振動(dòng)或沖擊可在某些頻率下引起錯(cuò)誤的動(dòng)作。這些外部感應(yīng)的擾動(dòng)會(huì)產(chǎn)生頻率跳動(dòng)、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對(duì)于要求特殊EMI兼容的應(yīng)用，EMI是另一個(gè)要優(yōu)先考慮的問(wèn)題。除了采用合適的PC母板布局技術(shù)，重要的是選擇可提供輻射量小的時(shí)鐘振蕩器。一般來(lái)說(shuō)，具有較慢上升/下降時(shí)間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。

　　恒溫晶體振蕩器簡(jiǎn)稱恒溫晶振，英文簡(jiǎn)稱為OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator)。詳解恒溫晶振的調(diào)試：

　　1)每一個(gè)單獨(dú)指標(biāo)必須單獨(dú)測(cè)試，不能同時(shí)測(cè)試幾種指標(biāo)，也不能同時(shí)測(cè)試幾只晶振。

　　2)測(cè)試時(shí)要嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試電路和測(cè)試環(huán)境進(jìn)行測(cè)試。

　　3)在沒(méi)有相當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備和測(cè)試人員的情況下，不建議客戶自行測(cè)試晶振，更不能隨意調(diào)試晶振，測(cè)試設(shè)備的等級(jí)應(yīng)至少比晶振指標(biāo)高一個(gè)數(shù)量級(jí)。

　　4)對(duì)不同廠家的產(chǎn)品，尤其是來(lái)自不同國(guó)家的產(chǎn)品，有一些指標(biāo)的測(cè)試方法不盡相同，應(yīng)提前了解各廠家的異同點(diǎn)，統(tǒng)一意見(jiàn)，以減少不必要的麻煩。

　　5)對(duì)一些短期指標(biāo)如頻率精度，開(kāi)機(jī)特性等，應(yīng)多做幾次重復(fù)的測(cè)試，以減少測(cè)試結(jié)果的偶然性。

　　晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性，它是決定振蕩器價(jià)格的重要因素。穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬，器件的價(jià)格亦愈高。工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的-40～ 75℃這個(gè)范圍往往只是出于設(shè)計(jì)者們的習(xí)慣，倘若-30～ 70℃已經(jīng)夠用，那么不必去追求更寬的溫度范圍。設(shè)計(jì)工程師要慎密決定特定應(yīng)用的實(shí)際需要，然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度。指標(biāo)過(guò)高意味著花錢愈多。晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素。根據(jù)目標(biāo)產(chǎn)品的預(yù)期壽命不同，有多種方法可以減弱這種影響。晶體老化會(huì)使輸出頻率按照對(duì)數(shù)曲線發(fā)生變化，也是說(shuō)在產(chǎn)品使用的年，這種現(xiàn)象才為顯著。例如，使用10年以上的晶體，其老化速度大約是年的3倍。采用特殊的晶體加工工藝可以改善這種情況，也可以采用調(diào)節(jié)的辦法解決，比如，可以在控制引腳上施加電壓（即增加電壓控制功能）等。

　　一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地,這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個(gè)不能忽略。