氮化鎵GaN功率模塊低溫燒結納米銀焊膏

*院科技推出高可靠燒結納米銀膏，產品可以用在SiC，GaN等第三代半導體的封裝。也可以用于傳統的SIP封裝以及大功率器件的封裝。

燒結型納米銀成為碳化硅功率模塊的較好選擇。

*院科技開發的耐高溫低溫燒結銀具有以下特點：

1低壓或者無壓燒結

2低溫工藝：燒結溫度可以在180度

3高導熱率：導熱率可達100W/mK以上

4高導電率：體阻低至810-6

5 耐候性好：-55-220°C

6 和其他焊接工藝相比，可提高功率密度，降低系統總成本

7 無鉛 ：屬于環境友好型材料

8以膏狀形式供應：便于操作

9 使用壽命長：是其他焊膏使用壽命的5倍

10 連接層熱阻降低90%以上。