產品簡介
技術參數品牌：Qorvo型號：TGF2979-SM批號：18+封裝：SMD數量：2000QQ：制造商：Qorvo產品種類：射頻結柵場效應晶體管(RFJFET)晶體管RoHS：是晶體管類型：HEMT技術：GaNSiC增益：11dB晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：32VVgs-柵源極擊穿電壓：-2
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Qorvo |
| 型號： | TGF2979-SM |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | SMD |
| 數量： | 2000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Qorvo |
| 產品種類： | 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管類型： | HEMT |
| 技術： | GaN SiC |
| 增益： | 11 dB |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 32 V |
| Vgs-柵源極擊穿電壓 ： | - V |
| Id-連續漏極電流： | A |
| 輸出功率： | 22 W |
| 工作溫度： | + 225 C |
| Pd-功率耗散： | 49 W |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | QFN-20 |
| 封裝： | Tray |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 長度： | 4 mm |
| 工作頻率： | DC to 12 GHz |
| 產品： | RF JFET Transistor |
| 類型： | GaN SiC HEMT |
| 寬度： | 3 mm |
| 商標： | Qorvo |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 開發套件： | TGF2979-SMEVB1 |
| 濕度敏感性： | Yes |
| 產品類型： | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 50 |
| 子類別： | Transistors |
| 零件號別名： | 1127378 |
| 單位重量： | 123 mg |
- 上一篇： WFDN085105-P28-1 移相器 移相器芯片
- 下一篇： WFDN150170-P43-3 移相器 移相器芯片
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。