產品簡介
技術參數品牌：Qorvo型號：TGF2935批號：18+封裝：DIE數量：2000QQ：制造商：Qorvo產品種類：射頻結柵場效應晶體管(RFJFET)晶體管RoHS：是晶體管類型：HEMT技術：GaNSiC增益：16dB晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：-Vgs-柵源極擊穿電壓：-Id-連續漏極電流：360mA輸出功率：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Qorvo |
| 型號： | TGF2935 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | DIE |
| 數量： | 2000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Qorvo |
| 產品種類： | 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管類型： | HEMT |
| 技術： | GaN SiC |
| 增益： | 16 dB |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | - |
| Vgs-柵源極擊穿電壓 ： | - |
| Id-連續漏極電流： | 360 mA |
| 輸出功率： | W |
| 漏極/柵極電壓： | - |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 85 C |
| Pd-功率耗散： | 5 W |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | DIE |
| 封裝： | Gel Pack |
| 應用： | Defense and Aerospace, Broadbａnd Wireless |
| 配置： | Single |
| 工作頻率： | DC to 25 GHz |
| 系列： | TGF |
| 商標： | Qorvo |
| 正向跨導 - 最小值： | - |
| NF—噪聲系數： | dB |
| 產品類型： | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 50 |
| 子類別： | Transistors |
| 零件號別名： | 1113815 |
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