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QPD0030 Transistor RF GaN GaAs FET 放大器 功放 功率放大器PA 雷達(dá) 衛(wèi)星 導(dǎo)航 航空 航天 定制 5G 微波芯片 微波射頻器件 CRE

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：QPD0030
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-07 08:42:50
  • 瀏覽次數(shù)：3
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：994條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-06-06
  • 最近登錄：2023-06-06
  • 聯(lián)系人：余洪
  • 電    話：13348852772

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：Qorvo型號(hào)：QPD0030批號(hào)：18+封裝：SMD數(shù)量：2000QQ：制造商：Qorvo產(chǎn)品種類：射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管RoHS：是技術(shù)：GaN增益：21

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：Qorvo
型號(hào)：QPD0030
批號(hào)：18+
封裝：SMD
數(shù)量：2000
QQ：
制造商：Qorvo
產(chǎn)品種類：射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
RoHS：是
技術(shù)：GaN
增益： dB
Vds-漏源極擊穿電壓：-
Vgs-柵源極擊穿電壓 ：-
Id-連續(xù)漏極電流：-
輸出功率：45 W
漏極/柵極電壓：-
最小工作溫度：- 40 C
Pd-功率耗散：45 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：QFN-20
封裝：Cut Tape
封裝：Reel
應(yīng)用：Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置：Single
工作頻率：DC to 4 GHz
系列：QPD
商標(biāo)：Qorvo
正向跨導(dǎo) - 最小值：-
產(chǎn)品類型：RF JFET Transistors
工廠包裝數(shù)量：250
子類別：Transistors
零件號(hào)別名：1132528
單位重量： g
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