技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | Qorvo |
| 型號(hào): | QPD1016 |
| 批號(hào): | 18+ |
| 封裝: | SMD |
| 數(shù)量: | 2000 |
| QQ: | |
| 制造商: | Qorvo |
| 產(chǎn)品種類(lèi): | 射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管 |
| RoHS: | 是 |
| 晶體管類(lèi)型: | HEMT |
| 技術(shù): | GaN SiC |
| 增益: | dB |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 145 V |
| Vgs-柵源極擊穿電壓 : | - 7 V to V |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 70 A |
| 輸出功率: | 680 W |
| 漏極/柵極電壓: | 55 V |
| 最小工作溫度: | - 40 C |
| 工作溫度: | + 85 C |
| Pd-功率耗散: | 714 W |
| 安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | NI780-2 |
| 配置: | Single |
| 工作頻率: | DC to GHz |
| 商標(biāo): | Qorvo |
| 開(kāi)發(fā)套件: | QPD1016EVB01 |
| 濕度敏感性: | Yes |
| 產(chǎn)品類(lèi)型: | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數(shù)量: | 25 |
| 子類(lèi)別: | Transistors |














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