C3M 系列 N溝道 SiC MOSFET C3M0065100K, 35 A, Vds=1000 V, 4針 TO-247-4封裝
碳化硅功率 MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.
新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術
在整個工作溫度范圍內，漏-源擊穿電壓 小為 1000 V
新低阻抗封裝，帶驅動器源
漏極與源極之間 8 mm 漏電/間隙
高速切換，具有低輸出電容
高阻塞電壓，帶低漏-源通態電阻
可耐受雪崩
快速固有二極管，帶低反向恢復
MOSFET 晶體管，Cree Inc.
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 35 A |
| 大漏源電壓 | 1000 V |
| 大漏源電阻值 | 90 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 小柵閾值電壓 | 1.8V |
| 大柵源電壓 | -4/+15（靜態）V，-8/+19（動態）V |
| 封裝類型 | TO-247-4 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 113.5 W |
| 配置 | 單 |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 正向二極管電壓 | 4.8V |
| 典型關斷延遲時間 | 19 ns |
| 晶體管材料 | SiC |
| 典型輸入電容值@Vds | 660 pF @ 600 V |
| 長度 | 16.13mm |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 23.6mm |
| Board Level Components | Y |
| 典型柵極電荷@Vgs | 35 nC @ 15 V，35 nC @ -4 |
| 高度 | 23.6mm |
| 系列 | C3M |
| 典型接通延遲時間 | 20 ns |
| 寬度 | 5.21mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 高工作溫度 | +150 °C |
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