N溝道 MOSFET SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3針 TO-220封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續(xù)漏極電流 | 20 A |
| 大漏源電壓 | 600 V |
| 大漏源電阻值 | 190 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 5.5V |
| 小柵閾值電壓 | 3.5V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 208 W |
| Board Level Components | Y |
| 典型柵極電荷@Vgs | 79 nC @ 10 V |
| 高度 | 4.4mm |
| 系列 | CoolMOS S5 |
| 典型輸入電容值@Vds | 3000 pF@ 25 V |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 典型關(guān)斷延遲時間 | 140 ns |
| 典型接通延遲時間 | 120 ns |
| 寬度 | 10.26mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 長度 | 8.64mm |
| 尺寸 | 8.64 x 10.26 x 4.4mm |














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