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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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創(chuàng)捷思 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF620PBF

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 29.5
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRF620PBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類(lèi)別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 17:37:30
  • 瀏覽次數(shù)：6
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  • 商鋪產(chǎn)品：795條
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N溝道SiMOSFETIRF620PBF,5

詳情介紹



N溝道 Si MOSFET IRF620PBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3針 TO-220AB封裝

通道類(lèi)型N
大連續(xù)漏極電流5.2 A
大漏源電壓200 V
大漏源電阻值800 mΩ
小柵閾值電壓2V
大柵源電壓±20 V
封裝類(lèi)型TO-220AB
安裝類(lèi)型通孔
晶體管配置單
引腳數(shù)目3
通道模式增強(qiáng)
類(lèi)別功率 MOSFET
大功率耗散50 W
低工作溫度-55 °C
典型柵極電荷@Vgs14 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds260 pF@ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間19 ns
寬度4.7mm
每片芯片元件數(shù)目1
晶體管材料Si
高度9.01mm
高工作溫度+150 °C
長(zhǎng)度10.41mm
尺寸10.41 x 4.7 x 9.01mm
Board Level ComponentsY
典型接通延遲時(shí)間7.2 ns
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