N溝道 Si MOSFET IPW60R041C6, 77 A, Vds=650 V, 3針 TO-247封裝
提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類 佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
| 通道類型 | N |
| 大連續(xù)漏極電流 | 77 A |
| 大漏源電壓 | 650 V |
| 大漏源電阻值 | 41 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 小柵閾值電壓 | 2.5V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 481 W |
| 高度 | 21.1mm |
| Board Level Components | Y |
| 典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 130 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 6530 pF @ 100 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 5.21mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 290 nC @ 10 V |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 16.13mm |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型接通延遲時(shí)間 | 23 ns |
| 晶體管材料 | Si |
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