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深圳市遠成共創(chuàng)電子科技有限公司

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INFINEON/英飛凌 場效應(yīng)管 IRF6629TRPBF MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：IRF6629TRPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-06-29 11:43:55
  • 瀏覽次數(shù)：4
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：531條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-06-29
  • 最近登錄：2023-06-29
  • 聯(lián)系人：張先生
  • 電    話：15012923110

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON/英飛凌型號：IRF6629TRPBF批號：21+封裝：DirectFETMX數(shù)量：12000QQ：對無鉛要求的達標(biāo)情況：無鉛濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：INFINEON/英飛凌
型號：IRF6629TRPBF
批號：21+
封裝：DirectFETMX
數(shù)量：12000
QQ：
對無鉛要求的達標(biāo)情況：無鉛
濕氣敏感性等級 （MSL）：1（無限）
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
系列：HEXFET®
FET 類型：N 通道
漏源電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：29A（Ta），180A（Tc）
驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）：，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： 毫歐 @ 29A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）：51nC @
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）：4260pF @ 13V
FET 功能：-
功率耗散（值）：（Ta），100W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：DirectFET™ 等容 MX
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