技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7149ADP-T1-GE3 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SO-8 |
| 數量： | 30000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 14 周 |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-P-通道-30V-50A（Tc）-5W（Ta）-48W（Tc）-PowerPAK®-SO-8 |
| 數據列表： | SI7149ADP; |
| 標準包裝： | 1 |
| 包裝： | 剪切帶（CT） |
| 零件狀態： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | TrenchFET® |
| 其它名稱： | SI7149ADP-T1-GE3CT |
| FET 類型： | P 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）： | 50A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 5.2 毫歐 @ 15A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 135nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±25V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 5125pF @ 15V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 5W（Ta），48W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | PowerPAK® SO-8 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® SO-8 |
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