產品簡介
技術參數品牌：ON/安森美型號：NTMD3P03R2G批號：18+封裝：SOP-8數量：10QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOIC-8通道數量：2Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | NTMD3P03R2G |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | SOP-8 |
| 數量： | 10 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOIC-8 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 3.05 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 85 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.5 mm |
| 長度： | 5 mm |
| 系列： | NTMD3P03 |
| 晶體管類型： | 2 P-Channel |
| 寬度： | 4 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 5 S |
| 下降時間： | 35 ns, 45 ns |
| 上升時間： | 42 ns, 16 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 32 ns, 45 ns |
| 典型接通延遲時間： | 16 ns, 12 ns |
| 單位重量： | 187 mg |
- 上一篇： AO4805L
- 下一篇： 場效應管 ZXMN6A09GTA
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。