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深圳市芯兆科技有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市芯兆科技有限公司>>晶體管>>其他晶體管>> NTD5865NLT4GON 場效應(yīng)管 NTD5865NLT4G MOSFET N-CH 60V 46A DPAK

ON 場效應(yīng)管 NTD5865NLT4G MOSFET N-CH 60V 46A DPAK

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:NTD5865NLT4G
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:溫室/大棚
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-08-05 16:22:24
  • 瀏覽次數(shù):5
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1082條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時(shí)間:2023-08-05
  • 最近登錄:2023-08-05
  • 聯(lián)系人:李小姐\/汪小姐
  • 電    話:13823266460

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號:NTD5865NLT4G批號:16+封裝:TO-252數(shù)量:60QQ:對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族:晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:ON
型號:NTD5865NLT4G
批號:16+
封裝:TO-252
數(shù)量:60
QQ:
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
系列:-
FET 類型:N 通道
漏源電壓(Vdss):60V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):46A(Tc)
驅(qū)動電壓( Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值):16 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值):2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值):29nC @ 10V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值):1400pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(值):71W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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