產品簡介
技術參數品牌：ON型號：FDB047N10批號：10+封裝：TO-263數量：60QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：100VId-連續漏極電流：164ARdsOn-漏源導通電阻：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | FDB047N10 |
| 批號： | 10+ |
| 封裝： | TO-263 |
| 數量： | 60 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-263-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 164 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 4.7 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 375 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 4.83 mm |
| 長度： | 10.67 mm |
| 系列： | FDB047N10 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 9.65 mm |
| 下降時間： | 244 ns |
| 上升時間： | 386 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 344 ns |
| 典型接通延遲時間： | 174 ns |
| 單位重量： | 1.762 g |
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