產品簡介
技術參數品牌：IR型號：IRF5801TRPBF批號：封裝：數量：5000QQ：制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOP-6通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：200VId-連續漏極電流：600mARdsOn-漏源導通電阻：2
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRF5801TRPBF |
| 批號： |
| 封裝： |
| 數量： | 5000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TSOP-6 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 200 V |
| Id-連續漏極電流： | 600 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 2.2 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| Qg-柵極電荷： | 3.9 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.1 mm |
| 長度： | 3 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 1.5 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 0.44 S |
| 下降時間： | 19 ns |
| 上升時間： | 8 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 8.8 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6.5 ns |
| 零件號別名： | IRF5801TRPBF SP001570104 |
| 單位重量： | 20 mg |
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