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深圳市普瑞力科技有限公司

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當前位置:深圳市普瑞力科技有限公司>>隔離器>>隔離器/柵極驅(qū)動器>> SI5855CDC-T1-E3VISHAY 場效應管 SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

VISHAY 場效應管 SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:SI5855CDC-T1-E3
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:隔離器/柵極驅(qū)動器
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-10 16:23:35
  • 瀏覽次數(shù):5
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其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:987條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-09-02
  • 最近登錄:2023-09-02
  • 聯(lián)系人:劉小姐
  • 電    話:15986709149

產(chǎn)品簡介

技術參數(shù)品牌:VISHAY型號:SI5855CDC-T1-E3批號:封裝:1206-8數(shù)量:6000QQ:描述:MOSFETP-CH20V3

詳情介紹


技術參數(shù)

品牌:VISHAY
型號:SI5855CDC-T1-E3
批號:
封裝:1206-8
數(shù)量:6000
QQ:
描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
詳細描述:表面貼裝型-P-通道-20V-3.7A(Tc)-1.3W(Ta)-2.8W(Tc)-1206-8-ChipFET™
數(shù)據(jù)列表:SI5855CDC;
標準包裝:3,000
包裝:標準卷帶
零件狀態(tài):停產(chǎn)
類別:分立半導體產(chǎn)品
產(chǎn)品族:晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列:LITTLE FOOT®
其它名稱:SI5855CDC-T1-E3-ND
FET 類型:P 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Tc)
驅(qū)動電壓( Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值):144 毫歐 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值):1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值):6.8nC @ 5V
Vgs(值):±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值):276pF @ 10V
FET 功能:肖特基二極管(隔離式)
功率耗散(值):1.3W(Ta),2.8W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:1206-8 ChipFET™
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
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