技術參數
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IRF6668TRPBF |
| 批號： | 17+ |
| 封裝： | DIRECTFET |
| 數量： | 14400 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | DirectFET-MZ |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 80 V |
| Id-連續漏極電流： | 55 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 12 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4 V |
| Qg-柵極電荷： | 22 nC |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.8 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 0.7 mm |
| 長度： | 6.35 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 5.05 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 22 S |
| 下降時間： | 23 ns |
| 上升時間： | 13 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 7.1 ns |
| 典型接通延遲時間： | 19 ns |
| 單位重量： | 1.113 g |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。