產品簡介
技術參數品牌：ON/安森美型號：BC856BLT1G批號：19+封裝：NA數量：646QQ：描述：TRANSPNP65V0
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | BC856BLT1G |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | NA |
| 數量： | 646 |
| QQ： | |
| 描述： | TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 4 周 |
| 詳細描述： | 晶體管-雙極-BJT-單-PNP-65V-100mA-100MHz-300mW-表面貼裝型-SOT-23-3（TO-236） |
| 數據列表： | BC856ALT1G Series; |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 |
| 系列： | - |
| 其它名稱： | BC856BLT1GOSTR |
| 晶體管類型： | PNP |
| 電流 - 集電極 (Ic)（值）： | 100mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（值）： | 65V |
| 不同 Ib、Ic 時 Vce 飽和壓降（值）： | 650mV @ 5mA，100mA |
| 電流 - 集電極截止（值）： | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）： | 220 @ 2mA，5V |
| 功率 - 值： | 300mW |
| 頻率 - 躍遷： | 100MHz |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商器件封裝： | SOT-23-3（TO-236） |
- 上一篇： TI 電源管理芯片 TPS7B6701QPWPRQ1 低
- 下一篇： TE/泰科 膠殼及附件 794805-1 CONN PLU
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。