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當(dāng)前位置：深圳市廣鑫世紀(jì)電子有限公司>> SI2306BDS-T1-E3VISHAY/威世 場效應(yīng)管 SI2306BDS-T1-E3 MOSFET 30V 4.0A 0.75W

VISHAY/威世 場效應(yīng)管 SI2306BDS-T1-E3 MOSFET 30V 4.0A 0.75W

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：SI2306BDS-T1-E3
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-10-16 17:54:48
  • 瀏覽次數(shù)：8
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1039條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-09-07
  • 最近登錄：2023-09-07
  • 聯(lián)系人：林小姐
  • 電    話：15989891386

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：VISHAY/威世型號：SI2306BDS-T1-E3批號：19+封裝：SOT23數(shù)量：48000QQ：制造商：VishaySiliconix系列：TrenchFET®FET類型：N通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.16A（Ta）驅(qū)動電壓（RdsOn

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：VISHAY/威世
型號：SI2306BDS-T1-E3
批號：19+
封裝：SOT23
數(shù)量：48000
QQ：
制造商：Vishay Siliconix
系列：TrenchFET®
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3.16A（Ta）
驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值）：47 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（值）：3V @ 250µA
Vgs（值）：±20V
功率耗散（值）：750mW（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
漏源電壓（Vdss）：30 V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）：4.5 nC @ 5 V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）：305 pF @ 15 V
基本產(chǎn)品編號：SI2306
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