產品簡介
技術參數品牌：AOS/萬代型號：AONR21357批號：21+封裝：DFN數量：20000QQ：制造商：Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET類型：P通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：21A（Ta）
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | AOS/萬代 |
| 型號： | AONR21357 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | DFN |
| 數量： | 20000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| FET 類型： | P 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 21A（Ta），34A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 7.8 毫歐 @ 20A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.3V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±25V |
| 功率耗散（值）： | 5W（Ta），30W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 封裝/外殼： | 8-PowerVDFN |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 70nC @ 10V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 2830pF @ 15V |
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