產品簡介
技術參數品牌:ON型號:FDB12N50TM批號:1920封裝:D2PAK數量:200000QQ:制造商:ONSemiconductor系列:UniFET™FET類型:N通道技術:MOSFET(金屬氧化物)25°C時電流-連續漏極(Id):11.5A(Tc)驅動電壓(RdsOn
詳情介紹

技術參數
| 品牌: | ON |
| 型號: | FDB12N50TM |
| 批號: | 1920 |
| 封裝: | D2PAK |
| 數量: | 200000 |
| QQ: | |
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 系列: | UniFET™ |
| FET 類型: | N 通道 |
| 技術: | MOSFET(金屬氧化物) |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id): | 11.5A(Tc) |
| 驅動電壓( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻(值): | 650 毫歐 @ 6A,10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)(值): | 5V @ 250µA |
| Vgs(值): | ±30V |
| 功率耗散(值): | 165W(Tc) |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安裝類型: | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝: | D2PAK |
| 封裝/外殼: | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
| 漏源電壓(Vdss): | 500 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值): | 30 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(值): | 1315 pF @ 25 V |
| 基本產品編號: | FDB12N50 |
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