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深圳市佳源偉業電子有限公司

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當前位置:深圳市佳源偉業電子有限公司>>集成電路>>PMIC/穩壓器/線性>> SI4914BDY-T1-E3VISHAY 場效應管 SI4914BDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

VISHAY 場效應管 SI4914BDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:SI4914BDY-T1-E3
  • 品牌:
  • 產品類別:PMIC/穩壓器/線性
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-31 15:57:44
  • 瀏覽次數:5
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  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:976條
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產品簡介

技術參數品牌:VISHAY型號:SI4914BDY-T1-E3批號:18+封裝:SOIC-8數量:4695QQ:對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)類別:分立半導體產品產品族:晶體管-FET

詳情介紹


技術參數

品牌:VISHAY
型號:SI4914BDY-T1-E3
批號:18+
封裝:SOIC-8
數量:4695
QQ:
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
類別:分立半導體產品
產品族:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列:LITTLE FOOT®
FET 類型:2 個 N 通道(半橋)
FET 功能:標準
漏源電壓(Vdss):30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8.4A,8A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值):21 毫歐 @ 8A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值):2.7V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值):10.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值):-
功率 - 值:2.7W,3.1W
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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