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深圳市智聯(lián)微科電子有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市智聯(lián)微科電子有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> IXFH26N50P3IXFH26N50P3
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:IXFH26N50P3
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-11-12 13:51:36
  • 瀏覽次數(shù):7
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:866條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-11-12
  • 最近登錄:2023-11-12
  • 聯(lián)系人:李先生
  • 電    話:18870730247

產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:IXYS
型號:IXFH26N50P3
批號:1518+
封裝:TO247
數(shù)量:42
QQ:
制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:500 V
Id-連續(xù)漏極電流:26 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:240 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Qg-柵極電荷:42 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:500 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
配置:Single
高度:21.46 mm
長度:16.26 mm
系列:HiPerFET
晶體管類型:1 N-Channel
類型:Polar3 HiPerFET Power MOSFET
寬度:5.3 mm
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:14 S
下降時間:5 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:7 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:38 ns
典型接通延遲時間:21 ns
單位重量:1.600 g
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