產品簡介
技術參數(shù)品牌：Onsemi型號：FQD2N100TM批號：21+封裝：TO252數(shù)量：50000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：1kVId-連續(xù)漏極電流：1
詳情介紹
技術參數(shù)
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | FQD2N100TM |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO252 |
| 數(shù)量： | 50000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 1 kV |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 1.6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 7.1 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 高度： | 2.39 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 系列： | FQD2N100 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 類型： | MOSFET |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 正向跨導 - 最小值： | 1.9 S |
| 下降時間： | 35 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 30 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 25 ns |
| 典型接通延遲時間： | 13 ns |
| 零件號別名： | FQD2N100TM_NL |
| 單位重量： | 490 mg |
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