產品簡介
技術參數品牌：Onsemi型號：FDD6N25TM批號：21+封裝：TO-252數量：50000QQ：描述：MOSFETN-CH250V4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | FDD6N25TM |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數量： | 50000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 6 周 |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-250V-4.4A（Tc）-50W（Tc）-D-Pak |
| 數據列表： | FDD6N25; |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | UniFET™ |
| 其它名稱： | FDD6N25TMTR |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 250V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 4.4A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 1.1 歐姆 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 6nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 250pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 50W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | D-Pak |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
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