技術參數
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | MJD32CT4G |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數量： | 50000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | PNP |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 100 V |
| 集電極—基極電壓 VCBO： | 100 V |
| 發射極 - 基極電壓 VEBO： | 5 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 1.2 V |
| 直流電集電極電流： | 3 A |
| Pd-功率耗散： | 1.56 W |
| 增益帶寬產品fT： | 3 MHz |
| 最小工作溫度： | - 65 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | MJD32C |
| 高度： | 2.38 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 集電極連續電流： | 3 A |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min： | 25 |
| 單位重量： | 1 g |
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