產品簡介
技術參數品牌：Onsemi型號：ATP113-TL-H批號：21+封裝：TO-252數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductorFET類型：P通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：35A（Ta）驅動電壓（RdsOn
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | ATP113-TL-H |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| FET 類型： | P 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 35A（Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 29.5 毫歐 @ 18A，10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | 50W（Tc） |
| 工作溫度： | 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | ATPAK |
| 封裝/外殼： | ATPAK（2 引線 + 接片） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 60V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 55nC @ 10V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 2400pF @ 20V |
| 基本產品編號： | ATP113 |
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