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技術參數品牌：Onsemi型號：FGP15N60UNDF批號：21+封裝：TO-247數量：1000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-220-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：2
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | FGP15N60UNDF |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-247 |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | IGBT 晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 600 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 2.7 V |
| 柵極/發射極電壓： | 20 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 30 A |
| Pd-功率耗散： | 178 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | FGP15N60UNDF |
| 柵極—射極漏泄電流： | +/- 10 uA |
| 單位重量： | 1.800 g |
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