超級結MOSFET
技術介紹

超結MOSFET ( Metal Oxide Semiconducto Field Effect Transistor)，在傳統VDMOS的基礎上，通過交替排布的P型柱，引入一個橫向電場，使超結MOSFET垂直方向上的電場分布近似于矩形，在相同外延電阻的條件下，明顯提高了產品的耐壓。對于相同耐壓的產品，超結MOSFET相比傳統的VDMOS,單位面積的導通電阻降低到原來的1/8以內，顯著提升了器件性能。