LNK304DN
LNK304DN代理
LNK304DN中文資料
LNK304DN應用電路
深圳市銳豪達電子有限公司
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PMIC-AC-DC轉換器，離線開關
系列LinkSwitch®-TN
輸出隔離非隔離
頻率范圍62kHz~70kHz
電壓-輸入-
電壓-擊穿700V
電壓-輸出-
功率(W)12mW
工作溫度-40°C~150°C
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）7引線

供應商器件封裝SO-8C

說明：
成本，元件數目最少的降壓轉換器解決方案
嚴格的容差和微小的溫度漂移特性
系統級的過載過熱保護、輸出短路以及開環故障保護
支持降壓、降壓-升壓和反激式拓撲
優良的線電壓調整率和負載調整率（采用典型配置）
高帶寬提供快速的無過沖啟動
電流限流操作方式抑制了線電壓紋波
通用輸入電壓范圍（85至265 VAC）
內置式電流限制和遲滯熱關斷保護
比無源解決方案更高效
具有比饋電容解決方案更高的功率因數
電源可以實現99%的SMD設計

應用：
用于替換線性/無源降壓的非隔離降壓式或降壓-升壓式轉換器解決方案
主要家電和小型家電
工業控制
電表
恒流LED照明設備
定時器

LNK304DN中文資料

結合了一個高壓功率MOSFET開關及一個電源控制器。與傳統的PWM(脈寬調制)控制器不同，LinkSwitch-TN采用簡單的開/關控制器來調節輸出電壓。LinkSwitch-TN的控制器包括一個振蕩器、反饋電路(檢測及邏輯電路)、5.8V穩壓電路、旁路引腳欠壓電路、過溫保護、頻率調制、限流電路、前沿消隱電路及一個700V的功率MOSFET。LinkSwitch-TN還另外集成了用于自動重啟動的保護電路。
振蕩器典型的振蕩器頻率由內部設置，其平均頻率為66kHz。振蕩器可生成兩個信號：占空比信號(DCMAX)及每個開關周期開始的時鐘信號。LinkSwitch-TN的振蕩器電路可產生輕微的頻率調制，通常為4kHz峰峰值用來降低EMI。頻率調制的調制速率設置在1kHz的水平，目的是優化EMI并降低其平均值及準峰值。測量頻率調制時應把示波器觸發設定在漏極電壓波形的下降沿來測量。圖4的波形顯示了LinkSwitch-TN的頻率調制狀態。反饋輸入電路在FB引腳的反饋輸入電路由一個低阻抗的源極跟隨器輸出，其輸出設定為1.65V。當流入此引腳的電流大于49µA時，在反饋電路的輸出會產生一個低的邏輯電平信號(禁止信號)。在每個時鐘信號的上升沿，對此輸出電平進行采樣。如果采樣值為高電平，功率MOSFET在此周期開通(使能)。相反，如果此采樣電平為低電平，功率MOSFET會保持關斷狀態(禁止)。由于采樣僅在每個周期信號的上升沿處進行，此周期中隨后產生的FB引腳電壓或電流的變化對MOSFET狀態都不構成影響。5.8V穩壓器及6.3V分路電壓箝位在MOSFET處在關閉期間，5.8V穩壓器就會從漏極吸取電流，將連接到旁路引腳的旁路電容充電到5.8V。旁路引腳是LinkSwitch-TN的內部電源電壓節點。當MOSFET導通時，LinkSwitch-TN器件利用儲存在旁路電容內的能量供電。內部電路極低的功率消耗使LinkSwitch-TN僅依靠從漏極引腳吸收的電流持續工作。一個0.1µF的旁路電容就足夠實現高頻去耦及能量存儲。另外，當有電流通過一個外接電阻提供給旁路引腳時，芯片內部的一個6.3V的分流穩壓箝位電路會將旁路引腳電壓箝位在6.3V。利用外部的偏置繞組向LinkSwitch-TN供電，可以將空載能耗降低到50mW以下。旁路引腳欠壓保護旁路引腳欠壓電路在旁路引腳電壓下降到4.85V以下時關閉功率MOSFET的開關。一旦旁路引腳電壓下降到4.85V之下，它必須再上升回5.8V才可重新使能(開啟)功率MOSFET的開關。過熱保護熱關斷電路檢測硅片的溫度。閾值設置在142°C并具備75°C的遲滯范圍。當結溫度超過這個閾值(142°C)時，功率MOSFET的開關被禁止，直到結溫度下降75°C，MOSFET才會重新開啟。電流限制電流限制電路檢測功率MOSFET的電流。當電流超過內部閾值(ILIMIT)，在該周期剩余階段會關斷MOSFET。在功率MOSFET開啟后，前沿消隱電路會在短時間內(tLEB)禁止電流限流比較器。通過設置前沿消隱時間，可以防止由電容及次級整流管反向恢復時產生的電流尖峰引起開關脈沖的提前誤關斷。自動重啟動(限于LNK304-306)一旦出現故障，例如在輸出過載、輸出短路或開環情況下，LinkSwitch-TN進入自動重啟動操作。每當FB引腳電壓被拉高時，一個對振蕩器記時的內部記數器會重新置位。如果50ms內FB引腳未被拉高，功率MOSFET開關就會被禁止800毫秒。自動重啟動電路使功率MOSFET間斷性地開通和關閉，直到故障排除為止。

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