技術參數
| 品牌： | Infineon 英飛凌 |
| 型號： | IPG20N06S2L-35 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TDSON-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 55 V |
| Id-連續漏極電流： | 20 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 35 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.6 V |
| Qg-柵極電荷： | 23 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 65 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.27 mm |
| 長度： | 5.9 mm |
| 晶體管類型： | 5.15 mm |
| 寬度： | IPG2N6S2L35XT SP000613718 IPG20N06S2L35ATMA1 |
| 零件號別名： | 97.530 mg |
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