產品簡介
技術參數品牌：INFINEON/英飛凌型號：SPP08N50C3封裝：TO-220批次：20+數量：10000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：560VId-連續漏極電流：7
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | INFINEON/英飛凌 |
| 型號： | SPP08N50C3 |
| 封裝： | TO-220 |
| 批次： | 20+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 560 V |
| Id-連續漏極電流： | 7.6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 600 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 83 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 15.65 mm |
| 長度： | 10 mm |
| 系列： | CoolMOS C3 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.4 mm |
| 下降時間： | 7 ns |
| 上升時間： | 5 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 60 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6 ns |
| 零件號別名： | SP000013834 SPP8N5C3XK SPP08N50C3HKSA1 |
| 單位重量： | 2 g |
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