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深圳市顏洋電子有限公司

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當前位置:深圳市顏洋電子有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> HGTG10N120BND場效應(yīng)管 HGTG10N120BND

場效應(yīng)管 HGTG10N120BND

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:HGTG10N120BND
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-12-09 10:41:10
  • 瀏覽次數(shù):8
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其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1048條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-12-09
  • 最近登錄:2023-12-09
  • 聯(lián)系人:周先生
  • 電    話:13826576328

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:FAIRCHILD型號:HGTG10N120BND批號:19+20+封裝:TO-3P數(shù)量:21050QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類:IGBT晶體管RoHS:是技術(shù):Si封裝/箱體:TO-247-3安裝風格:ThroughHole配置:Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO:1200V集電極—射極飽和電壓:2

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:FAIRCHILD
型號:HGTG10N120BND
批號:19+20+
封裝:TO-3P
數(shù)量:21050
QQ:
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
RoHS:
技術(shù):Si
封裝 / 箱體:TO-247-3
安裝風格:Through Hole
配置:Single
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO:1200 V
集電極—射極飽和電壓:2.45 V
柵極/發(fā)射極電壓:20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:17 A
Pd-功率耗散:298 W
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
系列:HGTG10N120BND
封裝:Tube
集電極連續(xù)電流 Ic:35 A
高度:20.82 mm
長度:15.87 mm
寬度:4.82 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
集電極連續(xù)電流:35 A
柵極—射極漏泄電流:+/- 250 nA
產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:450
子類別:IGBTs
零件號別名:HGTG10N120BND_NL
單位重量:6.390 g
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