技術參數(shù)
| 品牌： | INFINEON/英飛凌 |
| 型號： | SPD06N80C3 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | 原廠原封 |
| 數(shù)量： | 5500 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 800 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 780 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | V |
| Qg-柵極電荷： | 41 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 83 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | CoolMOS C3 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 下降時間： | 8 ns |
| 上升時間： | 15 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 72 ns |
| 典型接通延遲時間： | 25 ns |
| 零件號別名： | SP000318350 SPD06N80C3BTMA1 |
| 單位重量： | 330 mg |
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