技術參數
| 品牌： | FAIRCHILD |
| 型號： | FQH8N100C |
| 批號： | 14+ |
| 封裝： | TO-3P |
| 數量： | 16 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 1 kV |
| Id-連續漏極電流： | 8 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 1.45 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 225 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | QFET |
| 封裝： | Tube |
| 配置： | Single |
| 高度： | 20.82 mm |
| 長度： | 15.87 mm |
| 系列： | FQH8N100C |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.82 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 下降時間： | 80 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 95 ns |
| 工廠包裝數量： | 450 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 122 ns |
| 典型接通延遲時間： | 50 ns |
| 單位重量： | 6.390 g |
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