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EOT銦鎵砷光電探測器,可選外墻插入式電源、光纖耦合

產(chǎn)品二維碼
參   考   價: 6000
訂  貨  量: ≥1臺
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:ET系列
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2022-10-31 20:24:27
  • 瀏覽次數(shù):13
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:439條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2014-10-08
  • 最近登錄:2022-10-31
  • 聯(lián)系人:劉玉剛
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產(chǎn)品簡介

詳情介紹

EOT銦鎵砷光電探測器,體積小、帶寬>10GHz,內(nèi)部電壓偏置

直流至22GHz、可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項

短波近紅外銦鎵砷光電探測器包含PIN光電二極管,利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。EOT銦鎵砷光電探測器又叫做EOT銦鎵砷探測器、EOT近紅外光電探測器、短波紅外銦鎵砷光電探測器、短波近紅外銦鎵砷光電探測器、銦鎵砷PIN光電二極管探測器、EOT光電探測器、銦鎵砷光電二極管探測器等等。

典型包含可見光、近紅外的EOT銦鎵砷光電探測器的響應(yīng)度如下:


ET-3500、ET-4000適合短波可見光區(qū)域, 3500F、ET-3600、ET-4000F適用于近紅外I區(qū)的應(yīng)用,ET-5000、ET-5000F適用于近紅外II區(qū)。型號確定的含義:

2代表Silicon,3代表 InGaAs,4代表GaAs,5代表Extended InGaAs,ET是廠家EOT的縮寫。


短波近紅外銦鎵砷光電探測器,三元系材料InxGa1-xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶體的直接帶隙半導(dǎo)體,其能帶成分因組分的比例不同具有差異,應(yīng)用。

EOT近紅外光電探測器端接到示波器的50Ω電阻時,可以測量激光的脈沖寬度。當(dāng)銦鎵砷PIN光電二極管探測器端接到頻譜分析儀的50Ω電阻時,可以測量激光的頻率響應(yīng)。

EOT近紅外光電探測器中,>10GHz光電探測器自帶由長壽命鋰電池組成的內(nèi)部偏置電源。將同軸電纜插入光電檢測器的BNC輸出連接器,可以在示波器或頻譜分析儀處端接50Ω就可以了。

短波近紅外銦鎵砷光電探測器的上升/下降時間300ps(典型),影響度0.47A/W@830nm,電源要求直流,帶寬>2GHz,輸出連接器BNC。特點是占地面積小、內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz、可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項。

探測原理是什么呢?

探測器在完成光電轉(zhuǎn)化過程中,不僅給出表征被測對象的電壓、電流信號,同時也伴隨著無用噪聲的電壓、電流信號,這是一種起伏信號,其大小決定了探測器的探測能力。


EOT近紅外光電探測器的主要指標(biāo)如下:

1)光電流是存在入射光照射下光電探測器所產(chǎn)生的光生電流,暗電流則為無光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響著光接收機的靈敏度大小,是探測器的主要指標(biāo)之一。暗電流包括以下幾種:盡區(qū)中邊界的少子擴散電流、流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流、表面泄漏電流。EOT近紅外光電探測器的暗電流<0.1na。

2)探測器的暗電流與噪聲是分不開的,通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲:暗電流噪聲、散粒噪聲、熱噪聲。EOT近紅外光電探測器的噪聲<0.01pw/hz。



EOT銦鎵砷光電探測器規(guī)格


EOT銦鎵砷探測器特點:

-占地面積小

-內(nèi)部電壓偏置

-帶寬>10GHz

-直流至22GHz

-可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項


EOT近紅外光電探測器應(yīng)用:

-監(jiān)控調(diào)Q激光器的輸出

-監(jiān)控鎖模激光器的輸出

-監(jiān)測外部調(diào)制連續(xù)激光器的輸出

-高頻、外差應(yīng)用

-時域和頻率響應(yīng)測量


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