產品簡介
技術參數品牌：EPC型號：EPC2001C批號：21+封裝：模具數量：12666QQ：制造商：EPC系列：eGaN®FET類型：N通道技術：GaNFET（氮化鎵）25°C時電流-連續漏極(Id)：36A（Ta）驅動電壓（RdsOn
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | EPC |
| 型號： | EPC2001C |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | 模具 |
| 數量： | 12666 |
| QQ： | |
| 制造商： | EPC |
| 系列： | eGaN® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | GaNFET（氮化鎵） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 36A（Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 5V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 7 毫歐 @ 25A，5V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | @ 5mA |
| Vgs（值）： | +6V，-4V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | 模具剖面（11 焊條） |
| 封裝/外殼： | 模具 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 100 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 9 nC @ 5 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 900 pF @ 50 V |
| 基本產品編號： | EPC2001 |
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