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技術參數品牌：ST型號：STP165N10F4封裝：TO220批次：2021+數量：6515制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：100VId-連續漏極電流：120ARdsOn-漏源導通電阻：5
| 品牌： | ST |
| 型號： | STP165N10F4 |
| 封裝： | TO220 |
| 批次： | 2021+ |
| 數量： | 6515 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 120 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 4 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4 V |
| Qg-柵極電荷： | 192 nC |
| Pd-功率耗散： | 315 W |
| 配置： | Single |
| 系列： | STP165N10F4 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 單位重量： | 330 mg |
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