Activator150 SiC和GaN退火及石墨烯生長

centrotherm Activator 150 高溫爐生產線專為硅-碳化合物（SiC）或鎵-氮化合物（GaN） 設備的后植入燒結而設計開發。Activator 150可用于多種類型爐體， 如研發爐和批量生產爐， 且處理靈活性高。centrotherm的無金屬加熱裝置的設計允許處理溫度高達1850°C同時縮短了工藝循環時間。由于占據空間小、購置成本低，所以Activator 150可實現生產具有成本效益。

特點：

高活化率

表面粗糙程度小

溫度達 1850°C

批量規模高達 50硅片（150mm）

加熱率達 150 K/min

通過SiH4可實現硅“過壓

centrotherm CLV200

CLV200 小批暈生產用垂直爐管

I 適用于砫襯底的半導體集成電路的生產

centrotherm C LV 200 是一個獨立的小批量晶圓 生產設備，能實現各項熱處理工藝，適用于少量生產及 研發。

cent rot herm 工藝反應 腔體及加熱系統有著的設計， 升溫至 11 00 攝氏度。由于一爐尺寸較小（一批至多 50 片晶圓）， CLV 200 爐管能提供 非常靈活的常壓及低壓工藝，降低顧客研發費用。

cent rot herm 的設計在高效， 低耗上非常出色， 同時也具備了生產各種半導體器件的工藝靈活性。

常壓工藝退火

氧化

擴散LPCVD PECVD

溫度可達 11 00° C

凈化間占用面積小 [ m叮

售 批量生產 100 mm 至200 mm 晶圓售 一批可處理 50 片晶圓

售 全自動 cassette -to-cassette 傳片