EVG®850 LT

Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

EVG®850LT SOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統

自動化生產鍵合系統，適用于多種融合/分子晶圓鍵合應用

晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850 LT自動化生產鍵合系統和具有LowTemp™等離子活化的直接晶圓鍵合，融合了熔合的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300 mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。

特征

利用EVG的LowTemp™等離子技術進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種融合/分子晶圓鍵合應用 ；生產系統可在高通量，高產量環境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）； 的背面處理

超音速和/或刷子清潔； ； 機械平整或缺口對齊的預粘合

的遠程診斷技術數據

晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預粘接室

對齊類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50 µm，θ：±°

結合力：5 N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統：9x10-2 mbar（標準）和9x10-3 mbar（渦輪泵選件）

LowTemp™等離子模塊

2種標準工藝氣體：N2和O2，以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和合成氣（N2，Ar和H4含量）

通用質量流量控制器：多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速可達到 sccm

真空系統：9x10-2 mbar（標準）和9x10-3 mbar（渦輪泵選件），高頻RF發生器和匹

配單元：清潔站；清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）； 腔室：由PP或PFA制成

清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2 。2％濃度（可選）

旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成；

旋轉：3000 rpm（5 s）

清潔臂：多5條介質線（1個超音速系統使用2條線）

可選功能：ISO 3迷你環境（根據ISO 14644）； LowTemp™等離子活化室

紅外檢查站