Centrotherm 高溫氧化系統-Oxidator 150

一、產品簡介

德國Centrotherm公司是國際主流的半導體設備供應商，尤其在高溫設備領域。CentrothermOxidator 150 經過的研發,能夠滿足 SiC圓片的高溫氧化工藝;同時亦可用于常規的硅圓片的氧化。CentrothermOxidator 150 的反應腔具有性能高、占地小和生產成本低等特點，為客戶提供的工藝靈活度,同時能夠保證有毒氣體的安全使用。

設備特點：

爐管和加熱器均處于真空密閉反應腔內，上下料腔室可用Ar或 N2進行吹掃，可以保證有毒氣體（如 NO、N2O、H2、NO2等） 的安全使用。

氧化工藝使用 N2O氣氛，可以改善 SiO2/SiC接觸表面以獲得更高的通道遷移率，同時可提高SiC表面氧化物的穩定性和壽命。

提供帶有氫氧合成系統的濕氧工藝。

高達 1350 ℃的溫度和其他支持功能為 SiC氧化工藝和低界面陷阱密度,高通道移動率的氧化層研制提供可能。

二、適用工藝

高溫SiC或Si氧化

氧化后退火（氫氣環境）

三、產品特性

性能

圓片尺寸：2″、3″、4″、6″

工藝溫度：900 ℃ ~ 1350 ℃

真空度： 小于10-3 mbar

占地面積小：

真空密封反應腔

可以并排安裝

選項

氫氧合成用于濕氧

機械手裝片

測溫熱偶

尺寸

四、設備參數