PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200系列

（PICOSUN™ ALD R-200）

名稱：原子層沉積系統(tǒng) 產(chǎn)地：芬蘭

Picosun簡介

Picosun是一家公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產(chǎn)設(shè)施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD設(shè)備專為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設(shè)計(jì)，并且不斷發(fā)展以提。Picosun適應(yīng)性強(qiáng)其客戶包括zui 大的電子制造商，小型的型挑戰(zhàn)者以及的大學(xué)。 Picosun的組織機(jī)構(gòu)和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個(gè)客戶的需求。PICOSUN®研發(fā)工具具有的內(nèi)置可擴(kuò)展性，可確保將研究結(jié)果平穩(wěn)過渡到大批量工業(yè)制造中，而不會(huì)出現(xiàn)技術(shù)差距。Picosun的熱情在于。當(dāng)您想與設(shè)備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案，從而引ling行業(yè)發(fā)展時(shí)，Picosun是您的合作伙伴。

PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)的均勻性，包括挑戰(zhàn)性的通孔的、深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的，分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN™ R系列的擴(kuò)展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN™反應(yīng)腔室核心設(shè)計(jì)特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗(yàn)室與制造車間之間的鴻溝。對(duì)大學(xué)來說,突破的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中，就會(huì)吸引到企業(yè)投資。

PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)

PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對(duì)象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場(chǎng)。它已成為驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的工具。

敏捷的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及系統(tǒng)的終靈活性，可以滿足未來的需求和應(yīng)用。的熱壁設(shè)計(jì)具有獨(dú)立的入口和儀器，可實(shí)現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對(duì)象和所有納米級(jí)特征上的多種材料。得益于我們Picoflow™技術(shù)，即使在挑戰(zhàn)性的通孔，長寬比和納米顆粒樣品上也可以實(shí)現(xiàn)均勻性。 PICOSUN®R-200 Standard系統(tǒng)配備了功能*且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成，無論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域，都可以進(jìn)行高效，靈活的研究，并獲得良好的結(jié)果。

PICOSUN®R-200高級(jí)

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對(duì)象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。

群集工具，Picoflow™擴(kuò)散增強(qiáng)劑，卷對(duì)卷室，RGA，UHV兼容性，N2發(fā)生器，氣體洗滌器，定制設(shè)計(jì)，用于惰性裝載的手套箱集成PICOSUN®R-200高級(jí)ALD系統(tǒng)是高級(jí)ALD研究工具的市場(chǎng)，已有數(shù)百個(gè)客戶安裝。它已成為驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的工具。

敏捷的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及終的系統(tǒng)靈活性，可以滿足未來的需求和應(yīng)用。的熱壁設(shè)計(jì)具有獨(dú)立的入口和儀器，可實(shí)現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對(duì)象和所有納米級(jí)特征上的多種材料。得益于我們Picoflow™技術(shù)，即使在挑戰(zhàn)性的通孔，長寬比和納米顆粒樣品上也能實(shí)現(xiàn)均勻性。PICOSUN®R-200 Advanced系統(tǒng)配備了功能*且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)品前體源。高效且獲得的遠(yuǎn)程等離子選件可實(shí)現(xiàn)金屬沉積，而沒有短路或等離子損壞的風(fēng)險(xiǎn)。與手套箱，UHV系統(tǒng)，手動(dòng)和自動(dòng)裝載機(jī)，集群工具，粉末倉，卷對(duì)卷倉以及各種原位分析系統(tǒng)集成在一起，無論您現(xiàn)在或?qū)淼难芯款I(lǐng)域，都可以高效，靈活地進(jìn)行研究，并獲得良好的結(jié)果稍后。

（*）等離子發(fā)生器技術(shù)特點(diǎn)：

遠(yuǎn)程血漿源安裝到裝載室并與反應(yīng)室連

出色性能的適用于不同化學(xué)性質(zhì)的藍(lán)寶石涂藥器

商用微波等離子體發(fā)生器，具有300–3000 W可調(diào)功率， GHz頻率

保護(hù)氣體在中間空間中流動(dòng)（無等離子體物質(zhì)的反向擴(kuò)散）

在相同的沉積過程中，等離子體和熱ALD循環(huán)的可能性，而無需對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行硬件更改

型號(hào)：PICOSUN™ ALD PP-200 Pro

PICOSUN™P系列量產(chǎn)ALD系統(tǒng)定義了高產(chǎn)量ALD的新時(shí)代。我們?nèi)詣?dòng)化、真空集群與產(chǎn)線兼容的P系列ALD確保了的產(chǎn)出效率，并且具有的工藝純度和薄膜均勻性，甚至能滿足具有嚴(yán)格要求的半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。PICOSUN™P系列ALD高效緊湊的設(shè)計(jì)節(jié)約了昂貴的場(chǎng)地成本，系統(tǒng)的易維護(hù)性減少了停工期。對(duì)于系統(tǒng)的維護(hù)、工藝故障的排除，我們?yōu)榭蛻籼峁┑姆?wù)Picosupport™。根據(jù)用戶的需求，確保每時(shí)每（24/7/365）快速提供的解決方案。在購買之前，我們提供做樣服務(wù)，確保系統(tǒng)具有的性能，滿足您的需求。

ALD主要應(yīng)用：

1.在集成電路上的應(yīng)用：Fin-FET和HKMG工藝在Si襯底上長高K絕緣層HfO2，La2O3，Ta2O5，Al2O3等；電容器金屬電極；晶體管柵電極；TSV電鍍銅前長阻擋層和種子層；

2.在顯示中的應(yīng)用：在Micro-LED中通過在溝槽中長鈍化層來改善光散射性能；在OLED中低溫長防水層。

3.在激光器和功率器件的應(yīng)用：VCSEL側(cè)面長AlN、Al2O3保護(hù)層；GaN高頻器件T Gate刻蝕后去氧化層并鍍上保護(hù)層。

4.驗(yàn)證光刻膠性能：第三方實(shí)驗(yàn)室或者工廠FA部門，涂膠后通過低溫ALD鍍一層很薄的膜來保持住光刻膠的整體形貌，然后通過FIB+TEM等來驗(yàn)證光刻膠性能，如果不鍍膜直接上FIB或TEM會(huì)破壞光刻膠原有的形貌，無法獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。

5.其他應(yīng)用：MEMS/SAW等做高均勻性鍍膜，鋰電池、醫(yī)療等行業(yè)等粉末鍍膜。

技術(shù)指標(biāo)

應(yīng)用領(lǐng)域

客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6"和8"）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。