EVG 810 LT LowTemp™ Plasma Activation System

EVG 810LT LowTemp™等離子系統(tǒng)

適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVG810 LT LowTemp™等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)立單元。 處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一并結(jié)合在等離子體室外部）。

特征

表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)）

晶圓鍵合機(jī)制中zui快的動(dòng)力學(xué)

無(wú)需濕工藝

低溫退火（zui高400°C）下的zui高粘結(jié)強(qiáng)度

適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和高級(jí)基板粘接

高度的材料兼容性（包括CMOS）

EVG810 LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：50-200、100-300毫米

LowTemp™等離子活化室

工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）

通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá) sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2 mbar

腔室的打開/關(guān)閉：自動(dòng)化